Samsung начинает массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 объемом 4 Гбит
Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о старте массового производства новейших 4-Гбит чипов памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу.
Выпуск DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флэш-памяти. Чтобы справиться с этой сложной задачей, Samsung использует новейшие технологии двойного шаблона и атомно-слоевого осаждения. Это не только позволило компании выпускать чипы памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу, используя существующую иммерсионную ArF-литографию (литография с использованием эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета), но и сделает возможным производство следующего поколения DRAM по техпроцессу класса 10 нм в будущем. Кроме того, Samsung добилась беспрецедентной однородности нанесения сверхтонких диэлектрических пленок конденсаторов, что дополнительно улучшило эффективность памяти.
Одновременно Samsung повысила эффективность производства: для новых чипов она на 30 % выше, чем для DDR3 по 25-нм техпроцессу, и вдвое больше по сравнению с DDR3 по 30-нм техпроцессу.
Показатели энергоэффективности чипов на 25 % опережают характеристики мобильной памяти, изготовленной по 25-нм техпроцессу. Это достижение станет основой для разработки новейших «зеленых» IT-решений для мировых компаний.
«Новые модули памяти способствуют активному развитию рынка, в первую очередь, сегментов ПК и мобильных устройств, — говорит Ён Хюн Чун (Young Hyun Jun), исполнительный вице-президент направления Memory Sales & Marketing компании Samsung Electronics. — Samsung продолжит активную работу над выпуском мобильной памяти нового поколения и разработкой «зеленых» решений, отвечая на рост мирового IT-рынка и актуальные запросы пользователей».
Согласно исследованиям компании Gartner, мировой рынок мобильной памяти увеличится с 35,6 млрд. долларов США в 2013 году до 37,9 млрд. долларов США в 2014 году.
Sony Xperia M4 Aqua Год: 2015 г. Стандарты: GSM 1800/GSM 1900/GSM 850/GSM 900/HSDPA/LTE 4G Размеры: 145,5x72,6x7,3 мм Вес: 136 г.
LG G4 Год: 2015 г. Стандарты: GSM 1800/GSM 1900/GSM 850/GSM 900/HSDPA/LTE 4G Размеры: 148,9x76,1x9,8 мм Вес: 155 г.
Huawei P8max Год: 2015 г. Стандарты: GSM 1800/GSM 1900/GSM 850/GSM 900/HSDPA/LTE 4G Размеры: 182,7x93x6,8 мм Вес: 228 г.
Huawei P8 Год: 2015 г. Стандарты: GSM 1800/GSM 1900/GSM 850/GSM 900/HSDPA/LTE 4G Размеры: 144,9x72,1x6,4 мм Вес: 144 г.
Xiaomi Mi 4i Год: 2015 г. Стандарты: GSM 1800/GSM 1900/GSM 850/GSM 900/HSDPA/LTE 4G Размеры: 138,1x69,6x7,8 мм Вес: 130 г.
Обои от Mobiset на май
Мы предлагаем Вашему вниманию не только стильные, но и полезные обои для рабочего стола Вашего компьютера - с Вашими любимыми телефонами. Разумеется, с символикой Mobiset. Скачать обои можно здесь.
Приглашаем
...новостников, авторов статей и обзоров, переводчиков, других специалистов для работы над проектом Mobiset.ru. Хотите принять творческое участие - пишите, было бы желание - а работу найдём.
Мобильные новости (RSS), 
