[18.05.2012] Samsung начала массовое производство 20-нм LPDDR2 DRAM-памяти
Компания Samsung начала массовое производство 4-гигабитной мобильной LPDDR2 DRAM-памяти.Новая память создается на основе 20-нм техпроцесса, который позволит уменьшить размер такой памяти и улучшить её характеристики по сравнению с 30-нм аналогами.
Так, по сравнению с четырьмя модулями 4-гигабитных 30-нм чипов памяти (2 гигабайта), такое же количество 20-нм модулей памяти обеспечивает скорость передачи данных до 1066 Мбит/с при одновременном снижении энергопотребления на 20%.
В Samsung рассчитывают, что новая память быстро заменить доступные 30-нм 2-гигабитные чипы. Аналогичного мнения придерживаются и аналитики IHS iSuppli, которые считают, что к концу следующего года 2 гигабайта оперативной памяти станут нормой для большинства смартфонов.
Автор: Дмитрий Мухарев
| Твитнуть |
Наша группа ВКонтакте - присоединяйся!
Оперативная и эксклюзивная информация - в 140 знаках! Подписывайтесь на наш канал:
Читать @Mobiset
comments powered by Disqus