[11.04.2013] Samsung начала производство 128 Гб NAND flash-памяти на 10-нм техпроцессе
Компания Samsung начала массовое производство новой 128 Гб NAND flash-памяти.Новые чипы памяти основаны на 10-нм техпроцессе. Они имеют пропускную способность 400 Мбит/с и обладают самой большой плотностью на рынке.
Корейский производитель собирается использовать их для производства карт памяти формата microSD ёмкостью 128 ГБ, а также SSD-накопителей ёмкостью более 500 ГБ. Последние будут особенно полезны для плавного перехода от HDD на твердотельные накопители.
Автор: Дмитрий Мухарев
| Твитнуть |
Наша группа ВКонтакте - присоединяйся!
Оперативная и эксклюзивная информация - в 140 знаках! Подписывайтесь на наш канал:
Читать @Mobiset
comments powered by Disqus