[24.10.2006] Samsung готовит к выпуску 50 нм DDR2 чипы
Компания Samsung анонсировала производство первых в индустрии 50 нм DDR2 DRAM чипов.Новый 1 Гб чип вобрал в себя такие продвинутые технологии, как трехмерный дизайн транзистора и многослойную диэлектрическую технологию – с их помощью, производителям удалось увеличить не только производительность, но и емкость детали.
Из-за общей миниатюризации достаточно сложно обеспечить необходимое количество электронов. Многослойный диэлектрический слой (ZrO2/Al2O3/ZrO2) был добавлен в технологию для того, чтобы разрешить некоторые проблемы, связанные со свойствами электричества. Слой способен удерживать большое количество электронов, тем самым, давая возможность увеличить общую емкость и надежность сохранения данных.
1 Гб чип, изготовленный по 50 нм технологии от компании Samsung, сможет найти применение как в мобильном секторе, так и при создании чипов DRAM для видеокарт.
Автор: Евгений Макаров
| Твитнуть |
Наша группа ВКонтакте - присоединяйся!
Оперативная и эксклюзивная информация - в 140 знаках! Подписывайтесь на наш канал:
Читать @Mobiset
comments powered by Disqus