[24.07.2013] Samsung начала массовое производство 3 ГБ LPDDR3 модулей памяти
Компания Samsung начала массовое производство 3 ГБ LPDDR3 модулей памяти для мобильных устройств.В их состав входит шесть 4-гигабитных LPDDR3 модулей, выполненных на основе 20-нм техпроцесса. Они организованы в виде двух комплектов из трёх чипов, а их толщина составляет всего 0,8 мм.
Новые модули памяти позволят уменьшить толщину смартфонов. При этом они обеспечивают пропускную способность в 2133 Мбит/с на контакт. Их высокая скорость позволит в полной мере воспользоваться преимуществами сетей LTE-A (LTE Advanced).
Память соединяется с процессором с помощью двух симметричных каналов передачи данных, каждый из которых имеет доступ к 1,5 ГБ памяти. И хотя несимметричная передача данных может вызвать серьёзное снижение производительности, симметричная структура позволит избавиться от этих проблем и достичь максимального уровня производительности.
Кстати, одним из первых гаджетов, в котором будет использоваться эта память, вполне может стать планшетофон Samsung Galaxy Note III.
Автор: Дмитрий Мухарев
| Твитнуть |
Наша группа ВКонтакте - присоединяйся!
Оперативная и эксклюзивная информация - в 140 знаках! Подписывайтесь на наш канал:
Читать @Mobiset
comments powered by Disqus