[06.08.2013] Samsung начинает производство 3-мерной вертикальной NAND-памяти
Компания Samsung готова начать массовое производство первой в отрасли 3-мерной вертикальной NAND-памяти (V-NAND).Ячейки в такой памяти расположены как по горизонтали, так и по вертикали. Подобное решение позволяет не только сэкономить свободное пространство, но и увеличить ёмкость памяти и скорость её работы.
Новые чипы памяти имеют ёмкость 128 ГБ, а их максимальная ёмкость может достигать 1 ТБ. И это говорит о том, что вскоре у производителей может отпасть необходимость использования слота для карт памяти microSD.
Вполне возможно, что флагманские смартфоны, которые появятся на рынке в следующем году, уже будут оснащаться новыми чипами памяти.
Автор: Дмитрий Мухарев
| Твитнуть |
Наша группа ВКонтакте - присоединяйся!
Оперативная и эксклюзивная информация - в 140 знаках! Подписывайтесь на наш канал:
Читать @Mobiset
comments powered by Disqus