[12.03.2014] Samsung начала выпуск 4Гб DDR3 RAM памяти на основе 20-нм техпроцесса
Samsung сообщила о начале массового производства новой 4-гигабитной DDR3 RAM памяти.Новые чипы позиционируются производителем в качестве «наиболее продвинутой DDR3 памяти», основанной на 20-нм техпроцессе.
В чипах используется улучшенная технология двойного структурирования с иммерсионной ArF-литографией, которая будет применяться корейцами и при создании следующего поколения DRAM-памяти на основе 10-нм техпроцесса.
Новые чипы на 25% энергоэффективнее предыдущей 25-нм DDR3-памяти.
Автор: Дмитрий Мухарев
| Твитнуть |
Наша группа ВКонтакте - присоединяйся!
Оперативная и эксклюзивная информация - в 140 знаках! Подписывайтесь на наш канал:
Читать @Mobiset
comments powered by Disqus